&

霍奇金淋巴瘤（霍奇金氏?。?/span>

導致霍奇金淋巴瘤發(fā)病的原因有哪些

時間：2015-02-01來源：求醫(yī)網(wǎng)

　　霍奇金淋巴瘤起源于人類免疫系統(tǒng)細胞及其前體細胞，其本質是在體內(nèi)外有害因素作用下，不同階段的免疫細胞被轉化或機體正常調控機制紊亂而發(fā)生的異常分化和異常增殖。但霍奇金淋巴瘤的確切病因至今尚未明確，一般認為與感染、理化因素、免疫遏制等有關。

　　一、遺傳因素

　　遺傳因素與惡性淋巴瘤的病因關系主要表現(xiàn)在兩個方面，一種情況是遺傳因素在淋巴瘤的發(fā)生過程中占一定主導地位，如有時可見明顯的家族聚集性，如兄弟姐妹可先后或同時患惡性淋巴瘤，這種情況及少見。

　　另一種情況是遺傳易感性，此種人在接觸到相同的致癌因素后更易患淋巴瘤，遺傳易感性在腫瘤的發(fā)生中起著極其重要的作用。

　　二、免疫因素

　　惡性淋巴瘤是免疫系統(tǒng)的惡性腫瘤，免疫功能缺陷是惡性淋巴瘤的重要原因。正常情況下，人體的免疫系統(tǒng)具有免疫監(jiān)視功能，對機體內(nèi)發(fā)生突變或癌變的細胞能起到排斥、清除的作用。免疫功能缺陷的患者很容易發(fā)感染，特別是病毒感染。

　　三、病毒和細菌感染

　　病毒是腫瘤病因學研究的重要話題。目前根據(jù)有關資料研究的狀況來看，EB病毒、人類嗜T淋巴細胞病毒、人類嗜B淋巴細胞病毒與惡性淋巴瘤關系比較密切。

　　四、物理因素

　　惡性淋巴瘤的發(fā)病原因不僅與吸收輻射劑量有關，而且還與受輻射時的年齡有關，30歲以下接受輻射的人群中惡性淋巴瘤的發(fā)病率比其他沒有接受輻射的人群高。醫(yī)用輻射對人類腫瘤的發(fā)病影響越來越受到重視，特別是大劑量輻射對人類惡性淋巴瘤的發(fā)病有促進的作用。

　　五、化學病因

　　化學致癌物中的烷化劑、芳香胺類化合物、多環(huán)芳烴類化合物與惡性淋巴瘤的發(fā)病原因有關系?；瘜W藥物引起惡性淋巴瘤的發(fā)病率也不少見，如環(huán)磷酰胺、左旋苯丙氨酸氮芥、甲基芐肼等藥物引起惡性淋巴瘤均有資料報道。農(nóng)業(yè)中農(nóng)藥、化學肥料的使用，也使惡性淋巴瘤的發(fā)病率和死亡率不斷地增長。

　　免疫因素和遺傳因素屬于內(nèi)因，病毒、細菌感染、電離輻射屬于外因，淋巴瘤和其他惡性腫瘤一樣是由外因和內(nèi)因共同作用所致，逐步發(fā)展、演變而來。內(nèi)因是我們不能控制的，環(huán)境污染病毒、電離輻射等外因無處不在，也是我們個人不能左右的，因此，我們不要相信那些故作高深煞有介事的所謂“預防策略”，面對淋巴瘤，現(xiàn)在的人類只能打遭遇戰(zhàn)，沒法像預防某些傳染病似的進行有針對性的防御。

查看更多關于導致霍奇金淋巴瘤發(fā)病的原因有哪些的相關常識>>