一些外在因素引起小兒腦癱
時(shí)間:2015-07-01來(lái)源:求醫(yī)網(wǎng)
小兒腦癱是常見(jiàn)的兒童疾病,小兒腦癱的癥狀主要表現(xiàn)為中樞性運(yùn)動(dòng)功能障礙和姿勢(shì)異常,常合并智能缺陷、行為異常、精神障礙及視、聽(tīng)覺(jué)、語(yǔ)言障礙,可伴有癲癇發(fā)作。關(guān)于腦癱原因,產(chǎn)時(shí)應(yīng)從分娩開(kāi)始到誕生后7天,在此階段,嬰兒機(jī)體已和外環(huán)境取得平衡,絕大多數(shù)腦癱發(fā)生于產(chǎn)中。下面分析不同時(shí)期造成小兒腦癱的原因。
1.母體遭受感染:孕期母體遭受風(fēng)疹病毒、巨細(xì)胞病毒、單純皰疹病毒和弓形體等感染,由于內(nèi)分泌改變和免疫力下降而易被激活,通過(guò)胎盤(pán)引起宮內(nèi)感染危及胎兒,可造成流產(chǎn)、早產(chǎn)、死胎、發(fā)生出生缺陷,導(dǎo)致 小兒腦癱或成殘疾兒。做好優(yōu)生八項(xiàng)(TORCH)尤其重要。
2.妊娠時(shí)的環(huán)境因素:胚胎在母體宮內(nèi)發(fā)育時(shí),極易受外界環(huán)境因素如物理、化學(xué)或生物因子的影響,尤其對(duì)8周以?xún)?nèi)的胚胎更為敏感,引起胚胎的分化發(fā)育障礙,產(chǎn)生先天性畸形。
3.物理因素:最常見(jiàn)的物理性致畸因子有放射線(xiàn)、機(jī)械因素、高溫、嚴(yán)寒、微波、缺氧等。
4.高溫:高溫對(duì)早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20~28天內(nèi),孕婦如發(fā)燒至39℃以上時(shí),胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形,而在妊娠4~14周時(shí)孕婦接觸高溫后,胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯,肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。
5.化學(xué)因素:許多藥物和環(huán)境污染物對(duì)胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時(shí)間等有關(guān),也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類(lèi)繁多,常見(jiàn)的有緩腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。家庭裝修中的甲醛、苯類(lèi)對(duì)人類(lèi)危害越來(lái)越普遍。氨基糖苷類(lèi)抗生素應(yīng)用產(chǎn)生的毒性損害很常見(jiàn)。
6.高膽紅素血癥:如新生兒敗血癥等造成核黃疸,腦組織細(xì)胞線(xiàn)粒體的氧化磷酸化的解偶聯(lián)作用發(fā)生障礙,腦細(xì)胞能量產(chǎn)生不足,而變性壞死。
7.中樞神經(jīng)系統(tǒng)感染:急性腦炎、腦膜炎、敗血癥、頭部外傷等感染引起的小兒腦癱等導(dǎo)致腦組織缺氧缺血。
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